Rewolucyjne odkrycie w Getyndze
Niedawne badania przeprowadzone przez międzynarodowy zespół z Uniwersytetu w Getyndze, wspierany przez Massachusetts Institute of Technology (MIT) w USA oraz Narodowy Instytut Nauki o Materiałach w Japonii, przyniosły przełomowe wyniki. Uczeni udowodnili, że w strukturze dwuwarstwowego grafenu elektrony mogą przemieszczać się bez masy, analogicznie do światła.
Co więcej, eksperymenty pokazały, że możliwe jest sterowanie przepływem energii elektrycznej. Aby móc wykorzystać grafen do produkcji nowych, innowacyjnych tranzystorów, musi on posiadać właściwości izolatora, którym można go włączać i wyłączać, podobnie do przełącznika światła. Poprzez zastosowanie pola elektrycznego prostopadle do materiału, osiągnięto izolację dwuwarstwowego grafenu. Choć ta właściwość była już przewidywana teoretycznie w 2009 roku, dzięki znacząco lepszej jakości próbek udało się ją potwierdzić.
Nowe możliwości dla przyszłości elektroniki
Potencjał dwuwarstwowego grafenu w produkcji nowoczesnych tranzystorów jest ogromny, choć przed nami jeszcze długa droga badawcza. Mimo obiecujących wyników badań wciąż istnieje wiele wyzwań związanych z praktycznym zastosowaniem tej technologii. Badania prowadzone były m.in. w ekstremalnie niskich temperaturach kriogenicznych, co różni się znacznie od warunków codziennego użytkowania urządzeń elektrycznych. Zanim możliwe będzie komercyjne zastosowanie grafenu, potrzeba więc jeszcze wielu lat badań i rozwoju technologii.
